Socket Flange

ထုတ်ကုန်အားသာချက်များ

1. သုညအပူပျက်စီးဂဟေဆော်

အပူထည့်သွင်းခြင်း- ရိုးရာ TIG ဂဟေဆက်ခြင်း> 120J/mm၊ socket flange သာလျှင် 28J/mm

အပူဒဏ်ခံဇုန်အကျယ်- ရိုးရာလုပ်ငန်းစဉ်> 500μm၊ socket flange 80μm သာ

Intergranular corrosion immunity- ASTM G28 A နည်းလမ်းကို ကျော်ပြီး၊ အချိန် သုည နှစ်ဆ ပျက်ကွက်သည်။

စက်ရုံတစ်ခုလုံး၏ နျူကလီးယား ပေါက်ကွဲမှု ကုန်ကျစရိတ်

Scenario သမားရိုးကျဖြေရှင်းချက် QuantumSeal™ ဆုံးရှုံးမှုသည် စီးပွားရေးကို ချေမှုန်းခြင်းအတွက် အကျိုးရှိသည်။

အာကာသ လောင်စာဆီ ဖြည့်သွင်းမှု ယိုစိမ့်မှုကြောင့် မစ်ရှင် ကျရှုံးမှုနှုန်း 1/8 100% အောင်မြင်မှုနှုန်း အကြွင်းမဲ့ လက်ဝါးကြီးအုပ်

Fab ပိတ်ခြင်း $4.8 million/နာရီ Zero pollution ပိတ်ခြင်း 100%

Nuclear fusion reactor လေဟာနယ် ယိုစိမ့်မှု ပြန်လည်စတင်ခြင်း ကုန်ကျစရိတ် $230 million <$120,000 ကြိုတင်သတိပေးထိန်းသိမ်းမှု ↓99.5%

2. Micro-stress စည်းဝေးပွဲ

ကန့်သတ်ချက်များ ရိုးရာ socket flange QuantumSeal™ မျိုးဆက် ခြားနားချက်

အပူရွှေ့ပြောင်းခြင်းလျော်ကြေးငွေ (ΔT=300℃) 0.3mm 0.008mm ↓97%

ပိုက်လိုင်းတပ်ဆင်မှုဖိအား 78MPa 6MPa ↓92%

တုန်ခါမှု ဂီယာ attenuation rate 35% 98% ↑180%

Core နည်းပညာ- socket flange multi-surface stress dispersion socket၊ strain energy density 0.07J/m³ သို့ လျှော့ချသည်

3. Nano-sealing interface ထိန်းချုပ်မှု

မျက်နှာပြင် ကြမ်းတမ်းမှု- Ra 0.05μm (မှန်ပွတ်ခြင်း + အိုင်းယွန်း အလင်းတန်းပုံဖော်ခြင်း)

ဟီလီယမ်ယိုစိမ့်မှုနှုန်း- ≤10⁻¹¹ mbar·L/s (ITER ဖုန်စုပ်ခန်းစံနှုန်း- 10⁻⁹)

အလုံပိတ် ထိတွေ့မျက်နှာပြင်- >99.6% စစ်မှန်သော အဆက်အသွယ်နှုန်း (ရိုးရာထုတ်ကုန် <85%)

TSMC 3nm wafer Fab ဓာတ်ငွေ့ပိုက်လိုင်းကိစ္စ (316L EP အဆင့်)-

| အညွှန်းများ | ရိုးရာအနားကွပ် (2023) | QuantumSeal™ (2025) | အကျိုးကျေးဇူးများ |

| မှုန်လွှတ် | ＞5,000 ကျပ်/m³·h | **＜20 pieces/m³·h** | ISO Class 1 သန့်ရှင်းမှုနှင့်တွေ့ဆုံရန် |

| ဟီလီယမ်စစ်ဆေးရေးအချိန် | 4h/အဆစ် | **8 မိနစ်/အဆစ်** | ↓96% |

| Wafer ညစ်ညမ်းချို့ယွင်းချက်များ | 0.38/piece | **0.02/piece** | နှစ်စဉ်ထွက်ကုန်တန်ဖိုး $120 သန်း |

"မိုက်ခရိုစထရိကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော ရာဇမတ်ကွက်များ ညစ်ညမ်းမှုကို ဖြေရှင်းခြင်း"

ကွမ်တမ်ဥမင်လိုဏ်ခေါင်းကို တံဆိပ်ခတ်ခြင်း- အက်တမ်လစ်လပ်နေရာဖြည့်ခြင်းကို ရရှိရန်အတွက် socket flange ၏သတ္တုမျက်နှာပြင်တွင် အီလက်ထရွန်းနစ် တိမ်တိုက်ပေါင်းစပ်ခြင်း

Socket ကိုယ်တိုင် သန့်ရှင်းရေးနည်းပညာ- မျက်နှာပြင် စုပ်ယူမှု စွမ်းအင် ＜0.08eV (မော်လီကျူလာ အဆင့်တွယ်တာမှုကို ငြင်းပယ်ခြင်း)

အလွန်အမင်းအသုံးပြုခြင်း။

ဇာတ်လမ်းပုံစံ ရိုးရာအနားကွပ်ချို့ယွင်းမှု အဆင့်သတ်မှတ်ချက် QuantumSeal™ သည် အသိအမှတ်ပြု စံနှုန်းများကို ချိုးဖောက်သည်

အလွန်မြင့်မားသော သန့်စင်မှုဆီလိန်း (99.9999999%) သတ္တုအိုင်းယွန်းမိုးရွာသွန်းမှု＞5ppb ＜0.02ppb SEMI F72

ဒုံးပျံအရည် ဟိုက်ဒရိုဂျင်ပိုက်လိုင်း (-253 ℃) အပူရှိန်ကျုံ့မှု ယိုစိမ့်မှုနှုန်း 10⁻⁴ 10⁻¹¹ ESA ECSS-Q-ST-70-38C ထိန်းသိမ်းပါ

ပေါင်းစပ်ဓာတ်ပေါင်းဖို ပထမနံရံ (14MeV နျူထရွန်) Tritium စိမ့်ဝင်နိုင်မှု ＞10⁻⁷ g/m²·s ＜10⁻¹³ g/m²·s ITER SDC-IC